Метод - вакуумне випаровування - Велика Енциклопедія Нафти та Газа, стаття, сторінка 1
Метод - вакуумне випаровування
Метод вакуумного випаровування дозволяє наносити будь-які плівки - провідні, резистивні, діелектричні, напівпровідникові, магнітні, захисні - майже будь-які підкладки при однотипному, однаковому технологічному циклі. Остання обставина створює головну передумову для автоматизації процесу. [1]
При осадженні InP методом вакуумного випаровування плівки, що утворюються, являють собою суміш двох фаз - індія і фосфору. Плівки InP з розміром зерен більше I мкм J45], що складаються з однієї фази, можуть бути отримані при спільному випаровуванні Індія і фосфору з двох джерел. [2]
На поверхню цього шару методом вакуумного випаровування осаджується шар металу. [3]
Плівки бромистого натрію виходили методом вакуумного випаровування у камері електронографа ЭГ-1 при вакуумі приблизно 5 - 10 - 4 мм рт. ст.; як підкладку використовувалися аморфні целулоїдні плівки. [4]
Крім опорів та конденсаторів методом вакуумного випаровування отримані селенові випрямлячі, тонкоплівкові індуктивності та інші деталі. [5]
Спосіб отримання плівкових опорів методом вакуумного випаровування металу на ізоляційну підкладку забезпечує стабільність та високу надійність опорів. [6]
Котушки індуктивності виготовляє фірма Varo методом вакуумного випаровування. Фірмою випускаються трансформатори високої та проміжної частот. Взаємна індуктивність та смуга пропускання визначаються товщиною плати, на яку наносяться з різних сторін первинна та вторинна обмотки. Збільшення добротності досягається застосуванням провідників великої товщини. Метод випаровування у вакуумі забезпечує високий рівень відтворюваності параметрів. [7]
Усуміщених схемах пасивні елементи наносяться методом вакуумного випаровування на поверхню ізоляційного шару, що покриває монолітну напівпровідникову структуру з активними елементами. [8]
Леговані бором плівки аморфного кремнію, створювані методом вакуумного випаровування, безпосередньо після осадження містять велику кількість мікропорожнин і мікрокристалітів. [9]
Як зазначалося раніше, в елементах, створюваних методом вакуумного випаровування у поєднанні з мокрим хімічним процесом, плівка Cu2S, що утворюється на межах зерен, проникає всередину шару CdS, що призводить до значного збільшення (більш ніж у 10 разів) ефективної площі переходу та зниження напруги холостого ходу. Верхня область вертикальної ділянки переходу освітлена значно сильніше за нижню, куди випромінювання внаслідок його поглинання в напівпровіднику майже не проникає. Тому нижня область вертикального переходу знаходиться практично у темнових умовах, і, отже, у ній спостерігаються менші втрати носіїв заряду. [10]
Для кожного металу або сплаву, з якого методом вакуумного випаровування одержують плівкові опори дослідним шляхом розробляються відповідні режими технологічного процесу. Так, наприклад, при виготовленні стабільних плівкових опорів з ніхрому (80% Ni, 20% Сг) приймається наступний режим: температура джерела випаровування 1600 С, вакуум у робочій камері не гірше 1 - 10 - мм рт. ст., температура підкладки 300 – 350 С. [12]
У малогабаритних виробах бортової апаратури іноді МПП виготовляють методом вакуумного випаровування матеріалів, що підвищує надійність МПП за рахунок скорочення загальної кількості паяних з'єднань і дозволяє отримувати резистивні, діелектричні, напівпровідникові та магнітні плівки. [13]
Привиготовленні тильно-бар'єрних елементів на скляну пластину наносять методом вакуумного випаровування плівки Мо і Аі (товщиною 0 3 і 0 5 мкм відповідно), що утворюють контактну сітку, шар сульфіду кадмію (безпримісного або легованого індієм) товщиною 10 м2, товщиною мкм і плівку Аі товщиною 05 мкм, яка служить тильним контактом. Вважають, що при зменшенні питомого опору шару CdS підвищиться напруга холостого ходу, а в результаті оптимізації хімічного складу Cu2 xSe збільшиться струм короткого замикання. [14]
При виготовленні сонячних елементів з кремнієвих плівок, створюваних методом вакуумного випаровування [23], а також плівок, що вирощуються на керамічних [24] і багаторазово використовуваних [3] підкладках, легування та формування р-п-переходу здійснюються за допомогою звичайної дифузійної технології. [15]