Огляд комплекту пам’яті TridentX F3-2400C10D-16GTX
Нещодавно ми познайомилися з двоканальним комплектом оверклокерської пам'яті G.Skill TridentX F3-2400C10D-8GTX загальним об'ємом 8 ГБ. Для більшості завдань користувача такого обсягу ОЗУ більш ніж достатньо. Однак, на тлі падіння цін на пам'ять DDR3 і системних вимог комп'ютерних ігор і ресурсомістких прикладних програм, що постійно зростають, просунуті користувачі і комп'ютерні ентузіасти все частіше віддають перевагу модулям пам'яті об'ємом 8 ГБ. Такі планки дають змогу набрати 32–64 ГБ системної пам'яті на сучасних однопроцесорних материнських платах. А двопроцесорні моделі "материнок" дозволяють встановити ще більше ОЗП. Коли 8-гігабайтні модулі почали з'являтися у продажу, їх номінальні частоти були невисокі, і, як правило, обмежувалися на позначці 1333-1600 МГц. Згодом лідери промисловості налагодили виробництво більш швидкісних ємних планок. Компанія G.Skill є одним із провідних виробників оперативної пам'яті, надаючи своїм клієнтам найширший асортимент продукції, у тому числі комплекти для розгону об'ємом 2х8 ГБ. Саме з таким комплектом ми й познайомимось у нашому сьогоднішньому огляді. Отже, зустрічайте G. Skill TridentX F3-2400C10D-16GTX.
G.Skill F3-2400C10D-16GTX (TridentX, DDR3-2400, 2x8GB, CL10-12-12-31, 1,65V)
Комплект пам'яті поставляється у простому та зручному пластиковому блістері. Картонний вкладиш, як і сама пам'ять, оформлений у червоно-чорній гамі кольорів, що характерно для продуктів лінійки TridentX. Крім назви, на лицьовій стороні упаковки присутні два ярлики та напис, що свідчать про те, що пам'ять була спроектована з орієнтиром на процесори Intel і найкраще розкриє свій розгінний потенціал у зв'язці зпроцесорами Core третього покоління Звичайно, це не означає, що з процесорами конкурента будуть якісь конфлікти, тому фанатам AMD теж не варто засмучуватися.
В основі модулів лежить чорний текстоліт, масивні радіатори виготовлені з алюмінію та пофарбовані в червоно-чорні тони електролітичним методом. По обидва боки планок приклеєні фірмові стікери G.Skill TridentX. На одній стороні кожної планки є ще одна наклейка з голограмою, серійним номером, датою виготовлення та специфікаціями модулів.
Для виготовлення планок виробник застосовує восьмишаровий текстоліт, який позитивно повинен позначитися на розгінному потенціалі, надійності та температурному режимі модулів оперативної пам'яті.
Радіатори виготовлені дуже добротно і складаються з трьох частин: двох бічних пластин та червоного гребінця. Гребінець одягається зверху на бічні пластини радіатора та фіксується за допомогою двох маленьких болтів. Демонтувати його, відкрутивши болти, не складає ніяких труднощів.
Як і в розглянутому раніше 8-гігабайтному комплекті пам'яті, гребінець охолодження має деякі недоліки. Перший - форма, радіатор має багато гострих кутів, про які можна поранитися. Другий - гребінець одягається на основний радіатор без використання будь-якого термоінтерфейсу, що негативно позначається на ефективності тепловідведення. У принципі, обидві проблеми можна вирішити. Можна зняти гребінці, нанести на них пази термопасту і потім поставити назад. А користувачі, які часто монтують/демонтують пам'ять у комп'ютер, можуть просто зняти гребінці, щоб випадково не поранитися. Та й взагалі, радіатори носять в основному декоративний характер, так як сучасні модулі ОЗУ виконані за тонким техпроцесом,мають скромне тепловиділення і не потребують дуже потужного охолодження при повсякденній роботі, що не передбачає екстремального розгону зі значним підняттям напруги живлення пам'яті.
Бічні пластини радіатора кріпляться до планки за допомогою «термолипучок». Останні відносно непогано піддаються відклеюванню при використанні звичайного побутового або будівельного фена, проте не рекомендується знімати радіатори, щоб уникнути пошкоджень чипів пам'яті.
З кожного боку планки розташовані по вісім 4-гігабітних чіпів. На відміну від розглянутого раніше 8-гігабайтного комплекту, у цій моделі оперативної пам'яті можна розібрати написи на чіпах.
Маркування чипів K4B4G0846A-HCH9. Це чіпи виробництва Samsung Electronics, з точними специфікаціями цієї лінійки чіпів можна ознайомитись за посиланням.
У профілях XMP прописано за замовчуванням значення параметра Command Rate, що дорівнює 2Т. Однак пам'ять відмінно працює і при встановленні цього значення на 1Т без підвищення напруги живлення. Тестування оперативної пам'яті на розгін ми також будемо проводити при 1Т.
Тестова конфігурація
Тестування проводилося серед Windows 7 Ultimate x64. Для перевірки стабільність розгону модулів використовувалася програма LinX 0.6.4 з підтримкою AVX, обсяг пам'яті у якій встановлювався лише на рівні 4096 МБ.
Розгін пам'яті на платформі LGA1155 відрізняється наявністю для неї певних множників. А невеликий розгін за базовою частотою (зазвичай не перевищує 105-109 МГц) обмежує можливість вільної зміни частоти пам'яті. Процесори Ivy Bridge дозволяють досягти досить високої частоти оперативної пам'яті, що часто значно перевищує 2400МГц. У налаштуваннях UEFI більшості сучасних материнських плат, що базуються на логіці Intel Z77 Express, є множники, що відповідають частотам пам'яті 2600 і 2800 МГц. Неодноразово ентузіастами вже був доведений той факт, що розгін пам'яті сильно залежить від того, наскільки вдалий попався екземпляр інтегрованого контролера пам'яті в процесорі. Саме тому майстри оверклокінгу відбирають для своїх експериментів вдалі процесори з десятків і навіть сотень штук. У нашому тестуванні використовується серійний процесор Intel Core i5 3570K з розгінним потенціалом трохи вище за середній, тому результати будуть актуальні для більшості користувачів з аналогічними процесорами.
Результати тестування
Розгінний потенціал модулів пам'яті перевірявся при стандартних 1,65 В, а також при підвищеному до 1,75 В і зниженому до 1,5 В напругах для таких наборів таймінгів: 7-9-9-24, 8-10-10-27, 9-11-11-27, 10-12-12-30 та 11-13-13-36 з Command Rate 1T. Набори таймінгів вибиралися нами, спираючись на маркування чіпів та досвід з розгону пам'яті з подібними чіпами. Другі затримки, як і інші налаштування, залишалися в значенні Auto. З результатами можна ознайомитись на графіку нижче.
Результати розгону цілком очікувані даних чіпів пам'яті. Судячи з результатів, можна також сказати, що виробник не відбирає модулі на заводі, оскільки добірні планки на таких же чіпах показують вищі результати в розгоні. Підвищення напруги дає помітний приріст частотного потенціалу із вибраними нами наборами таймінгів. Але ось що цікаво — важливо використовувати саме «правильні» затримки при розгоні ОЗП, тому що, наприклад, з набором таймінгів 9-9-9-27-1Т підвищення напруги не призвело до збільшення розгінного потенціалу, і стабільнаробота була досягнута всього на 1850 МГц незалежно від напруги живлення. Також відзначимо невелике тепловиділення модулів - у процесі тестування пам'ять була ледь теплою навіть при проходженні стрес-тесту з напругою 1,75 В.