Датчик зображення BSI CMOS формату APS-C з роздільною здатністю 28 Мп

роздільною

Компанія Samsung представила новий датчик зображення S5KVB2 для цифрових камер типу CMOS із зворотним засвіченням (BSI), що має формат APS-C з роздільною здатністю 28 Мп. Датчик зображення моделі S5KVB2, який зараз запущений у масове виробництво, був розроблений для передової системної компактної камери Samsung NX1, продемонстрованої в рамках виставки Photokina 2014 у Кельні (Німеччина)

Компанія Samsung представила новий датчик зображення S5KVB2 для цифрових камер типу CMOS із зворотним засвіченням (BSI), що має формат APS-C з роздільною здатністю 28 Мп. Датчик зображення моделі S5KVB2, який зараз запущений у масове виробництво, був розроблений для системної компактної камери Samsung NX1, продемонстрованої в рамках виставки Photokina 2014 у Кельні (Німеччина).

Використовуючи передові технології зворотного засвічення пікселя (BSI), датчик зображення S5KVB2 забезпечує чудове поглинання світла. Датчик створений з міді на базі 65-нм техпроцесу тонкої технології проектування. S5KVB2 відповідає високим вимогам до енергозбереження та забезпечує безшумний процес зйомки найвищої якості, що ідеально підходить для системних компактних камер hi-end сегменту.

S5KVB2 – це перший в індустрії датчик формату APS-C, який оптимально адаптований під технологію зворотного засвічення пікселя (BSI). Для датчиків із зворотним засвіченням характерно розміщення шарів металізації під фотодіодами, що дозволяє зменшити втрати світла. За рахунок застосування BSI пікселів новий датчик зображення Samsung підвищує світлочутливість кожного пікселя і збільшує поглинання світла периферійними ділянками приблизно на 30%. В результаті зображення стають чіткішими в порівнянні з зображеннями, отриманимиза допомогою датчика з фронтальним засвіченням (FSI).

Датчик зображення S5KVB2 виконаний з міді з використанням 65-нанометрового техпроцесу, що забезпечує важливу перевагу над датчиками для камер, які виготовляються по 180-нанометровому техпроцесу з алюмінієвими провідниками. Завдяки 65-нанометровому техпроцесу із використанням міді значно знижується витрата енергії порівняно з датчиками минулого покоління. В результаті датчик зображення S5KVB2 відрізняється набагато меншими тепловими викидами.

Крім того, завдяки використанню самого передового процесу виготовлення та дизайну, що нагадує інтегральну схему, датчик зображення S5KVB2 здатний значно знижувати випадкові шуми.