Фотогальванічні елементи - Велика Енциклопедія Нафти та Газа, сторінка 1
Фотогальванічні елементи
Фотогальванічні елементи є автономними генераторами струму та напруги, в яких різниця потенціалів між затискачами виникає при дії світла. Вони поділяються на рідинні та сухі елементи. [2]
Фотогальванічні елементи виготовляються мул оксидів одновалентної міді, сульфіду срібла, сульфіду цинку, сульфіду свинцю та інших речовин, що включають селен. [4]
Фотогальванічні елементи з бар'єрним шаром з селену використовуються головним чином електроекспонометрах і чутливих реле. Чутливість елемента, замкненого коротко, лежить у діапазоні від 150 до 600 мка/лм; при цьому досягаються потужності від 40 до 60 мкВт/лм при рівні освітленості в 1000 лк. [6]
Сонячні елементи, кремнієві фотогальванічні елементи, які перетворюють сонячне світло безпосередньо на електричну енергію. Вони зазвичай використовуються в групах як джерела електричної енергії, наприклад, у ракетах або супутниках, що використовуються при дослідженні космосу, для передавачів, що застосовуються для порятунку потерпілих у горах. [7]
Чутливим елементом таких датчиків є фотогальванічні елементи - фотоелементи з р-п переходом, що має вентильні властивості. Вони: можуть працювати у двох режимах – фотогальванічному та діодному. [8]
Сонячні батареї слід розглядати як фотогальванічні елементи, призначені для максимального перетворення сонячного випромінювання на електричну енергію незалежно від вибіркової чутливості, необхідної для фотоелементів, що використовуються у фотографії. [9]
До фотоелектронних приладів з внутрішнім фотоефектом відносяться фоторезистори, фотогальванічні елементи, фотодіоди,фототранзистори та фототиристори. [10]
Фотоелементи із зовнішнім фотоефектом мають менший термін служби, ніж фотогальванічні елементи; їхня чутливість різко зменшується зі збільшенням освітленості. Ці фотоелементи мають високий коефіцієнт чутливості та широкий діапазон робочих температур. [11]
Електровакуумні фотоелементи та фотопомножувачі мають менший термін служби, ніж фотогальванічні елементи та фоторезистори. У процесі роботи чутливість зменшується, причому тим швидше, що більше освітленість. Дуже сильне засвічення може вивести їх з ладу. У поодиноких випадках у фотоелектронних помножувачів у процесі експлуатації чутливість зростає внаслідок збільшення кількості газу в балоні. Однак при цьому різко знижується ставлення сигналу шуму. [12]
В якості фотоприймачів для виявлення та реєстрації малих світлових сигналів застосовуються фотогальванічні елементи на основі монокристалічних лолупровідників германію та кремнію, а також напівпровідникових сполук: антимоніду індію ( InSb), арсеніду індію ( InAs) та ін. Електричні переходи в таких приладах отримують шляхом , Індія та га-Німеччина) або методом локальної дифузії домішок. [13]
В якості фотоприймачів для виявлення та реєстрації малих світлових сигналів застосовуються фотогальванічні елементи на основі монокристалічних лолупровідників германію та кремнію, а також напівпровідникових сполук: антимоніду індію ( InSb), арсеніду індію ( InAs) та ін. Електричні переходи в таких приладах отримують шляхом , Індія та га-Німеччина) або методом локальної дифузії домішок. [14]
У фотометрах, призначених для аналітичних цілей при роботі в ультрафіолетовій та видимій областях спектру, зазвичайвикористовуються три групи фотоелементів: 1) з замикаючим шаром або фотогальванічні елементи; 2) прості фотоемісійні (вакуумні) елементи і 3) фотопомножувачі. Кожна група має свої переваги та недоліки. Для фотоелектричних колориметрів найбільш підходящим є елемент із замикаючим шаром: він найдешевший, має найпростіший пристрій для вимірювання фотоелектронної віддачі і досить чутливий. [15]