Основи цифрової та обчислювальної техніки.
У маскові одноразово програмовані ЗУ типу ROM(M) інформація записується на промислових підприємствах з допомогою шаблону (маски) завершальному етапі технологічного процесу.
Елементом зв'язку (запам'ятовуючим елементом) масочних ЗУ можуть бути діоди, біполярні транзистори, МОП-транзистори і т.д.
У матриці з діодними елементами в одних вузлах діоди виготовляються, в інших – ні. Схеми з діодними елементами прості, але їх недоліком є відсутність підсилювальних властивостей ЗЕ, тому великі ємності розрядних шин потрібно перезаряджати струмами, що споживаються від ліній вибірки.
Щоб здешевити виробництво, при виготовленні маскових ЗУ прагнуть варіювати лише один шаблон, так щоб одні елементи зв'язку були закінченими та працездатними, а інші – незавершеними і відсутніми. Для цього, наприклад, МОП-транзисторах, відповідних зберігання нуля, збільшують товщину підзатворного оксиду, що веде до збільшення порогової напруги транзистора. В цьому випадку робоча напруга ЗУ не в змозі відкрити транзистор. Постійно закритий стан транзистора аналогічний його відсутності.
ЗУ з масковим програмуванням відрізняються компактністю елементів, що запам'ятовують, і, отже, високим рівнем інтеграції. Вони мають високу швидкодію (часи доступу у стандартних мікросхем становлять 25–70 нс). Однак при недостатній тиражності ЗУ з масковим програмуванням витрати на проектування та виготовлення шаблонів для них виявляться надмірно високими. Звідси видно і сферу застосування масочних ЗУ - зберігання стандартної інформації, що має широке коло споживачів. Зокрема, маскові ЗУ використовують як знакогенератори, де вони мають як «прошивки» коди букв алфавітів.(української та латинської), як таблиці типових функцій (синусу, квадратичної функції та ін.), як стандартне програмне забезпечення.
Вітчизняні масочні ROM характеризуються нині такими параметрами: інформаційною ємністю до 1 Мбіт за часів доступу близько 200 нс. Зарубіжні масочні ROM мають інформаційні ємності до 128 Мбіт за часів доступу 40-100 нс.