Визначення типу провідності напівпровідників
У світі електронна техніка розвивається семимильними кроками. Щодня з'являється щось нове, і це не лише невеликі покращення вже існуючих моделей, а й результати застосування інноваційних технологій, що дозволяють у рази покращити характеристики.
Не відстає від електронної техніки і приладобудівна галузь – адже щоб розробити та випустити на ринок нові пристрої, їх необхідно ретельно протестувати як на етапі проектування та розробки, так і на етапі виробництва. З'являються нова вимірювальна техніка та нові методи вимірювання, а отже – нові терміни та поняття.
Для тих, хто часто стикається з незрозумілими скороченнями, абревіатурами та термінами та хотів би глибше розуміти їх значення, і призначена ця рубрика.
У зв'язку з цим часто виникає необхідність експериментального визначення типу напівпровідника. Вона може вирішуватися паралельно з визначенням питомих опорів із використанням чотириточкової вимірювальної схеми. При цьому відомі два основні способи визначення типу провідності:
- метод випрямлення(Rectification Method)
- методтермо-ЕРС(Thermoelectric Voltage Method).
Для першого методу використовується вимірювальна схема, показана на рис. 1
Рис.1 Реалізація методу випрямлення
При напівпровіднику p-типу у осцилограми контрольної точки (рис. 2) чітко видно несиметричність осцилограми – позитивна напівхвиля явно має більшу амплітуду, ніж негативна та середня напруга в контрольній точці позитивно. При напівпровіднику n-типу переважає негативна напівхвиля та напруга у контрольній точці негативно.
Мал. 2 Осцилограми контрольного сигналу
Другий метод реалізується вимірювальною схемою, показаною на рис. 3 Визначення типу провідності аналогічно до описаного і виконується за показаннями вольтметра. Цей метод переважний при випробуванні низькоомних напівпровідників, коли метод випрямлення працює погано через низький рівень напруги в контрольній точці.
Мал. 3 Реалізація методу термо-ЕРС
За ред. проф. В. П. Дьяконова, Москва, ДМК прес, 2011