Дифузійний та дрейфовий струми
Припустимо, що аналізований напівпровідник p типу, тоді p>> n і (1.67) отримаємо, що μ ≈μn. Отже, переміщення імпульсу носіїв заряду в електричному полі визначатиметься переміщенням електронівvдр= - μnE.
У разі власного напівпровідника (n = p = ni) μ = 0 і відповідноvдр= μE.
Розглянуті варіанти показані на нижній діаграмі рис. 1.26.
Мал. 1.26. Дрейф інжектованого світлом електронно-діркового імпульсу в електричному полі.
В процесі дрейфу імпульс розпливатиметься за рахунок дифузії і загальна кількість надлишкових носіїв заряду в ньому зменшуватиметься в результаті рекомбінації.
Наведений приклад демонструє ефективність рівняння (35) під час аналізу процесів у різних галузях напівпровідникових приладів. Так біполярні напівпровідникові прилади (діоди, транзистори, тиристори та ін) складаються з областей p і n типу, що чергуються. Тому для аналізу процесів у різних галузях використовуються рівняння для неосновних носіїв заряду.
Для p області p>>n і відповідно будуть мати місце наступні рівняння.
Кожне з наведених рівнянь є окремим випадком більш загального рівняння (1.66) і використовується для аналізу процесів у напівпровідникових матеріалах та приладах саме для окремих випадків, що значно спрощує пошук можливого рішення. Рішення рівняння (1.66) досить у загальному вигляді дуже складно і, якщо це потрібно за умовами завдання, то зазвичай виконується чисельними методами з використанням відповідних комп'ютерних програм.
Аналогічно для n типу n>>p Для p відповідно матимуть місце
