Її температури на характеристики пункту
Основними причинами зміни струму стоку польових транзисторів є температурні залежності рухливості носіїв та контактної різниці потенціалів у транзисторах з керуючим переходом, а також гранична напруга в МДП-транзисторах. Рухливість носіїв заряду в каналі зменшується зі зростанням температури, що призводить до зменшення струму стоку, а гранична напруга, зменшуючись зі зростанням температури, призводить до збільшення струму стоку. Крім цього, зменшується і контактна різниця потенціалів, що призводить також до збільшення струму стоку. Таким чином, ці фактори мають на струм стоку протилежну дію і можуть компенсувати один одного. Зміну струму стоку із зміною температури можна охарактеризувати температурним коефіцієнтом струму:
Температурна залежність передатних показників показано малюнку. З показників видно, що у польових транзисторах існує термостабільна точка, у якій струм стоку залежить від температури. Величину струму стоку в цій точці можна приблизно визначити так:
Орієнтовне положення ермостабільної точки можна знайти за формулою
Зазначена властивість є великою перевагою польових транзисторів у порівнянні з біполярними і дозволяє створювати низку електронних пристроїв з підвищеною температурною стабільністю.
Залежно від способу ізоляції розрізняють затвора від каналу:
– транзистори з керуючим p-n-переходом, у якому ізоляція затвора від каналу здійснюється збідненим шаром p-n-переходу;
– транзистори із ізольованим затвором (ізоляція затвора від каналу здійснюється діелектриком).
Польові транзистори з ізольованим затвором скорочено називають МДП-транзисторами (М-метал, Д-діелектрик, П-напівпровідник). МДП-транзистори поділяються на транзистори з вбудованим каналом та з індукованим каналом. У МДП-транзисторах із вбудованим каналом на стадії виготовлення технологічно створюється (вбудовується) провідний канал шляхом введення відповідної домішки.
У другому випадку канал індукується (виникає) тільки при подачі на ізольований затвор напруги певної полярності та величини.
У МДП-транзисторі з вбудованим каналом і транзисторі з керуючим переходом при нульовому напрузі на затворі існує канал і в ньому протікає початковий струм при подачі напруги між витоком і стоком.
Такі транзистори називають МДП-транзисторами збідненого типу, т.к. управління струмом полягатиме у зменшенні струму (збіднення каналу). МДП-транзистори з індукованим каналом називають транзистором збагаченого типу, т.к. канал у ньому з'являється під час подачі напруги на затвор.
Умовне графічне позначення польових транзисторів на схемах
52.Польовий транзистор із бар'єром Шотки. Польовий транзистор із високою рухливістю електронів.
Основною перевагою приладів на GaAs є більш висока швидкість електронів, що забезпечує більшу швидкодію, і хороші властивості, що ізолюють, що дозволили зменшити паразитні ємності і спростити процес виготовлення. Вони можуть мати затвор на основі бар'єру Шотки (контакту метал-напівпровідник) У багатьох випадках ці прилади виготовляють безпосередньо іонним впровадженням домішки в напівізолюючу підкладку з GaAs. Ізолювальні властивості пов'язані з більшою шириною забороненої зони (1,42 еВ) порівняно з кремнієм. Схематичне зображення польовоготранзистора з бар'єром Шотки (ПТШ) на основі GaAs показано на малюнку:
Принцип його роботи аналогічний польовому транзистору з керуючим p-n-переходом. Підкладка може вибиратися n- та p-типу.
Провідність носіїв залежить:
- від напруги ел-го поля
Область 2-мірного ел. газу розташував. у шарі нелігір. GaAs p-типу і відокремлена від шару AlGaAs нелігованого товстим шаром нелігір. GaAs, тому шар 2-у мірного ел. газу відсутні центри рекомбінації (атом домішки) за рахунок цього досягається висока рухливість ел-нов у цьому шарі (цей шар являє собою канал).
Транзистори з високою рухливістю ел-нов можуть нормально закриті і нормально відкриті.