Кристалоутримувач напівпровідникового приладу
Кристалотримач напівпровідникового приладу призначений для виробництва потужних безкорпусних транзисторів і може бути використаний у радіоелектронних та електротехнічних виробах.
Основним технічним завданням є створення конструкції, що дозволяє значно збільшити корисну площу напівпровідникового приладу (відношення площі посадкового місця напівпровідникової структури до загальної площі напівпровідникового приладу) з метою забезпечення більш щільного поверхневого монтажу на друковану плату.
Це завдання досягнуто тим, що конструктивно Кристалодержатель виконаний у вигляді двох зон: зони посадки напівпровідникової структури і компактної зони зовнішніх висновків, змонтованих на вузькій керамічній підкладці.
Кристалотримач містить: молібденовий тримач 1, тепловідвідну вставку 2, керамічну підкладку 3, дві підступні контактні накладки 4 з припаяними до них двома вивідними вставками 5.
Корисна модель є кристалотримачем напівпровідникового приладу, призначений для розміщення на ньому напівпровідникових структур, і може бути використана при виробництві напівпровідникових приладів під поверхневий монтаж на друковані плати електронних та електротехнічних виробів.
Конструкції корпусів напівпровідникових приладів подібного типу, призначені для поверхневого монтажу на друковані плати, як правило складаються з керамічної основи корпусу, з розміщеним на його поверхні посадковим місцем під напівпровідникову структуру з кількома контактними майданчиками зовнішніх висновків та кришки корпусу, призначеної для герметизації напівпровідників. .
Прототипом передбачуваної корисної моделі є корпуси типу SHD-6, SMD-2, SMD-1, площа конструкцій якихможна умовно поділити на три зони: зону посадки напівпровідникового кристала, зону
зовнішніх висновків та зону під герметизацію кристала, причому корисною площею напівпровідникового приладу вважається лише зона посадки напівпровідникового кристала. Одним із недоліків цих корпусів є низький коефіцієнт корисного використання їхньої площі. Як правило, відношення площі посадкового місця під напівпровідникову структуру до площі корпусу знаходиться в межах К=0,24÷0,38.
Основним технічним завданням запропонованої корисної моделі є збільшення коефіцієнта корисного використання площі корпусу напівпровідникового приладу в 1,5÷2 рази з метою забезпечення щільнішого поверхневого монтажу на друковані плати.
Це завдання досягається тим, що пропонується більш компактна конструкція кристалотримача, що складається з двох робочих зон, зони посадки напівпровідникової структури та зони зовнішніх висновків, з'єднаних між собою торцевим спаєм.
Зона посадки напівпровідникової структури включає молібденовий тримач, напаяний на тепловідвідну вставку, що володіє високою теплопровідністю і низьким коефіцієнтом термічного лінійного розширення (КТЛР), наприклад, з псевдосплаву МД-40
Зона зовнішніх висновків включає керамічну підкладку із закріпленими на її поверхні двома металевими контактними накладками, що володіють низьким КТЛР, наприклад, зі сплаву 29НК або 42Н і мають електричний зв'язок з протилежною стороною керамічної підкладки за допомогою впаяних в наскрізні отвори останньої.
Керамічна підкладка виготовляється у вигляді вузької смужки з двома наскрізними отворами та як мінімум з трьома полями металізації. Наскрізні отвори розташовуються по краю однієї здовгих сторін, а навколо їх контуру і на поверхню, що утворює, наноситься металізація, що дозволяє надійно закріпити на поверхні підкладки контактні металеві накладки з напаяними мідними вставками. Третє поле металізації нанесене на протилежний від отворів край довгої сторони та суміжну торцеву поверхню підкладки дозволяє забезпечити
надійний торцевий спай керамічної підкладки з молібденовим тримачем та тепловідвідною вставкою.
Змінюючи розміри молібденового тримача, тепловідвідної вставки та керамічної підкладки можна отримувати широкий ряд кристалотримачів під складання напівпровідникових приладів, що дозволяють здійснювати щільніший поверхневий монтаж друкованих плат.
На фіг.1 зображено загальний вигляд кристалотримача. Кристалотримач містить молібденовий тримач 1, тепловідвідну вставку 2, керамічну підкладку 3, дві підступні накладки 4, з припаяними до них двома вивідними вставками 5. Збирається Кристалотримач у спеціальній груповій касеті з наступною одночасною вакуумною пайкою всіх вхідних компонент.
Кристалотримач напівпровідникового приладу, що складається з міцно спаяних між собою молібденового тримача, тепловідвідної вставки і керамічної підкладки з напаяними на її поверхню двома накладками з вивідними вставками, що забезпечують електричний зв'язок з протилежною стороною, що відрізняється тим, що в запропонованій конструкції виключена зона підкладка, що утворює зону зовнішніх висновків, виготовляється у вигляді вузької смуги і кріпиться до торцевої поверхні спаю молібденового тримача та тепловідвідної вставки.