Методика розрахунку несиметричного мультивібратора
Визначення основних параметрів несиметричного мультивібратора. Обчислення максимально допустимої напруги між колектором та базою транзистора, його вибір за коефіцієнтом посилення. Розрахунок потужності резисторів та номінальної ємності конденсаторів.
Надіслати свою гарну роботу до бази знань просто. Використовуйте форму нижче
Студенти, аспіранти, молоді вчені, які використовують базу знань у своєму навчанні та роботі, будуть вам дуже вдячні.
Розміщено наhttp://www.allbest.ru/
Методика розрахунку несиметричного мультивібратора
мультивібратор колектор транзистор конденсатор
Для розрахунку НМВ необхідно знати:
Uвих- амплітуда вихідних імпульсів;
а.Напругаджерелаживленняповинно з деяким запасом перевищувати амплітуду імпульсів на виході генератора
Полярність джерела живлення впливає лише тип транзистора.
б.Транзисториу схемі вибираються з наступних міркувань:
1. При замиканні транзистора на його базу передається позитивний перепад напруги і потенціал колектора при цьому прагнеЕп.
Тому максимально допустима напруга між колектором та базою транзистора має бути
2. За коефіцієнтом посилення транзистор вибирається з наступних умов
3. Верхню граничну частоту транзистора за умови
За розрахованими значеннями вибираємо транзистори.
Розраховані номінальні опори резисторів округляємо до рядуЕ6,Е12абоЕ24.
Ряди «Е» для визначення номінальних опорів та ємностей при допуску 20, 10, 5%
Потужність резисторів розраховуємо для максимальнонавантаженого резистораRК, використовуючи вираз
Отриманий результат округляємо у велику сторону для ряду: 11 0,125; 0,25; 0,5; 1,0 Вт.
Потужність резисторівRБвибираємо аналогічну.
3. Розраховуємо конденсатори.
Розраховані номінальні ємності конденсаторів округляємо до рядуЕ6,Е12абоЕ24.
г.Перевіряємо тривалість фронту та зрізу.
Якщо розрахункові дані задовольняють умові завдання, то роблять уточнюючий розрахунок.
Нижче наведено значення елементів схеми МВ на БТ КТ315А з параметрами: f=50кГц, q =4, Uвих =10 В.
Параметри транзистора КТ315 (n-p-n) :
Розміщено на Allbest.ru
Подібні документи
Розрахунок елементів схеми несиметричного мультивібратора на польових транзисторах з керуючим p-n переходом та каналом p-типу. Дослідження типових форм прямокутних коливань. Побудова часових діаграм мультивібратора на біполярних транзисторах.
Основні параметри та характеристики, вибір режиму роботи транзистора. Розрахунок малосигнальних властивостей. Визначення основних параметрів схеми заміщення. Розрахунок основних параметрів каскаду. Оцінка нелінійних спотворень. Вибір резисторів та конденсаторів.
Опис параметрів транзистора. Побудова практичної схеми каскаду із загальним емітером. Вибір режиму підсилювача. Алгоритм розрахунку дільника у ланцюгу бази, параметрів каскаду. Оцінка нелінійних спотворень каскаду. Вибір резисторів та конденсаторів.
Функціональна схема синтезатора частот. Електричний розрахунок автогенератора. Вибір транзистора. Визначення амплітуди напруги на навантаженні колекторного кола. Розрахунок насиченого симетричного тригера, побудованого потиповий схемою мультивібратора.
Напрямок зарядного струму конденсатора. Розробка електричної схеми автоколивального мультивібратора. Схема регулювання шпаруватості. Розрахунок основних параметрів функціонування схеми мультивібратора. Вибір елементної бази та складання специфікації.
Розрахунок Y-параметрів транзистора. Визначення допустимого та фактичного коефіцієнта шуму приймача. Обчислення вибірковості по побічним каналам. Вибір та обґрунтування засобів забезпечення посилення сигналу. Проектування приймача на мікросхемі.
Критерії вибору типу транзистора для підсилювального каскаду (напруга між колектором та емітером). Розрахунок режиму роботи по постійному та змінному струму, значень резисторів, конденсаторів, індуктивностей. Ознайомлення із програмою Micro Cap 8.
Вибір транзистора та розрахунок струму бази та емітера в робочій точці. Еквівалентна схема біполярного транзистора, включеного за схемою загальним емітером. Обчислення коефіцієнтів посилення за напругою, струмом та потужністю; коефіцієнта корисної дії
Загальні засади проектування підсилювачів на біполярних транзисторах. Розрахунок розділових конденсаторів та ємності шунтуючого конденсатора в ланцюзі емітера. зв'язок між окремими підсилювальними каскадами. Оцінка граничних параметрів та вибір транзистора.
Застосування конденсаторів змінної ємності зміни резонансної частоти контуру. Огляд конструкцій та вибір напряму проектування конденсатора. Розрахунок електричних та конструктивних параметрів, обчислення температурного коефіцієнта ємності.
Роботи в архівах красиво оформлені згідно з вимогами ВНЗ та містять малюнки, діаграми, формули і т.д. PPT, PPTX та PDF-файли представлені тільки в архівах. Рекомендуємо завантажити роботу.