Сплавно-дифузійні транзистори
Робота зроблена в 1999 році
Сплавно-дифузійні транзистори - Курсова Робота, розділ Зв'язок, - 1999 рік - Розрахунок та проектування малопотужних біполярних транзистори Сплавно-дифузійні транзистори. При дифузійній технології неодноро.
При дифузній технології неоднорідність емітерної поверхні призводить до неоднорідності товщини базової області, що погіршує можливі частотні властивості транзистора. У сплавно-дифузійної технології дифузією формується лише базова область а КП та ЕП формуються вплавленням емітерної навішування, під якою утворюється рекристалізаційна зона. При цьому в емітерну навішування вводиться домішка, що формує під емітером активний дифузійний шар бази. Коефіцієнт дифузії цієї домішки має значно перевищувати коефіцієнт дифузії домішки, що формує емітер та ЕП у рекристалізаційній зоні. Структура сплавно-дифузійного p-n-p транзистора зображено на рис.1. На рис.2 наведено деякі етапи отримання сплавно-дифузійного транзистора.
Після отримання вихідної р пластини Ge, протруюють в ній лунку, заглиблюючись у вихідну р пластину рис.2.1. травлення лунок здійснюється методом фотолітографії.
На окислену пластину наносять фоторезистивну плівку, її висвітлюють через маску ультрафіолетовим світлом.
Експоновані місця фоторезиста поляризуються.
Незаполімеризовані частини фоторезиста змивають так, що він залишається лише на опромінених місцях.
Потім виробляють травлення.
Після отримання лунки проводять щдифузію донарної домішки мал.2.2 потім необхідно відшліфувати поверхню вихідної пластини, щоб дифузійний шар залишився тільки в лунці.
Дифузія донорної домішки призводить до утворення базового n-шару рис.2.3. За допомогою електрохімічногометоду через маску вводять навішування вплавлюваного матеріалу 1 і 4 рис.2.4. Наважка 1 є емітерною, що містить спав Ni Al In, а навішування 2 базової.
Потім пластину поміщають у піч і нагрівають до температури, близької температури плавлення германію близько 900?С . При такій темпіратурі сплави не тільки переходять у рідкий стан, але має місце дифузія домішок з рідкої фази в тверду тверду фазу. При цьому комплексний характер сплаву, що знаходиться в лунках, забезпечує одночасне утворення двох шарів базового та емітерного, завдяки різко коефіцієнтам дифузії донарної та акцепторної домішок у германії донарна домішка обганяє акцепторну.
Під емітерним наважкою утворюється р-область, яка є емітером рис.2.5. Потім напівчесну структуру припаюють до кристалоутримувача.
Він є висновком колектора рис.2.6. 4.2 Структура сплавно-дифузійного p-n-p транзистора Мал. 2. Структура сплавно-дифузійного p-n-p транзистора. 1,3 - висновки бази 2 - рекристалізаційна область - емітер n - розміри кристала c, d - розміри лунки hкр - товщина кристала Rе, Rб - радіуси висновків емітера та бази 5.
Ця тема належить розділу:
Розрахунок та проектування малопотужних біполярних транзисторів
У 1923-1924 pp. Лосєв О.В. виявив наявність негативного диференціального опору та явище люмінесценції у точкових контактних. У 1940 році був виготовлений перший точковий діод. У 1948 році американський. У 1956 р. почалося виробництво транзисторів з базою, отриманою методом дифузії.
Що робитимемо з отриманим матеріалом:
Всі теми цього розділу:
ЗАГАЛЬНА ЧАСТИНА ЗАГАЛЬНА ЧАСТИНА. Технічне завдання. Технічне завдання містить вимоги до параметрів та умов експлуатаціїпрактикованого приладу. У разі найбільш істотні такі параметри 1. Ном
Список використаних позначень Перелік використовуваних позначень. Ak - площа колектора Ае - площа емітера a - градієнт концентрації домішок - відношення рухливостей електронів і дірок Сз.
Вибір технології виготовлення транзистора Вибір технології виготовлення транзистора. Основним елементом конструкції транзистора є кристал, або транзисторна структура кристала, яка є напівпровідниковою пластиною.
Основна частина ОСНОВНА ЧАСТИНА. Розрахунок сплавно-дифузійного транзистора. Завдання розрахунку В результаті розрахунку повинні бути визначені електрофізичні та геометричні параметри транзисторної структури, пар
Розрахунок товщини бази та концентрацій домішок Розрахунок товщини бази та концентрацій домішок. Діюча товщина бази визначається співвідношенням 1 1 де tпр-час прольоту бази tпр 2 де - коефіцієнт запасу за частотою f, 1,3 сек. Задавшись вели
Розрахунок ємностей та розмірів переходів Розрахунок ємностей та розмірів переходів. Завдання Визначити бар'єрні зарядні ємності та величини поверхні колекторного та емітерного переходів, а також геометричні розміри напівпровідникового пла
Розрахунок опорів ЕС та граничних частот Розрахунок опорів ЕС та граничних частот. Завдання визначення опорів еквівалентної схеми, диференціальних, дифузійних та омічних опорів ЕС транзистора. Мал. 3. Еквівалент
Розрахунок зворотних струмів колектора Розрахунок зворотних струмів колектора. Завдання визначити зворотний струм колекторного переходу Iк.обр. Зворотний струм колекторного переходу складається з 3х компонентів теплового струму.
Розрахунок параметрів граничного режиму та визначення товщини елементів кристалічної структури Розрахунок параметрів граничного режиму та визначення товщини елементів кристалічної структури. Завдання Визначення величини Ikmax або Pkmax, а також товщини кристала - заготівлі та інших елементів
Розрахунок параметрів експлуатації Розрахунок параметрів експлуатації. Максимальна розрахункова потужність знаходиться за формулою 49, 49 мВт 5.7.2 Розрахуємо максимальну напругу колектора скориставшись співвідношенням 50 Uк max
Вибір корпусу транзистора Вибір корпусу транзистора. Конструктивно корпус складається з двох основних елементів основи та балона. Основа включає фланець, ізолятор і висновки. Балон є
Обговорення результатів Обговорення результатів. Коефіцієнт передачі струму у схемі з ОЕ 65, розраховане значення 150,7364. Цей біполярний транзистор у схемі з ОЕ забезпечить заданий коефіцієнт передачі струму. 2. Кордон