Спосіб нарощування граней алмазу
ASTOPCKOM3 CSH+ETEflbCTSY (6I ) Додаткове до авт. свкд-ву (22)Заявлено 10.07.56 (21)964957/23-26 (5! )M Кл. з прнсоедкненкеи заявки.% .716358/23-26 (23) Пріоритет
СРСР за лелем винаходів до відкриттів
Опубліковано 05.05.80. Бюлетень М 17
Дата публікації опису 12.05.80 (53) УДК 661,,666.2 (088.8) (72) Автори винаходу
Б. В. Спіцин і Б. В. Дерягін
Інститут фізичної хімії AH СРСР (7I) Заявник (54) СПОСІБ НАРОЩУВАННЯ ГРАНІВ АЛМАЗА
Винахід відноситься до штучного нарощування граней алмазу.
Відомо, що нарощування кристалів у метаотабільній формі можливе при виключенні сторонніх центрів кристалізації, в результаті чого йде .тільки нарощування затравки нестабільного кріоталу, в той час як процес утворення стійких зародків стабільної в даних умовах кристалічної модифи1О капні практично не розвивається. Це дозволяє нарощувати з великою швидкістю нестабільні кристали вагою близько кілограма.
Сутність запропонованого способу coc t5 полягає в тому, що сполуки вуглецю
С3,, СВг4 вогоняються при 110-120 З ампули і, проходячи через термостатированную (продуванням повітря 125 С) об трубку, потрапляє у вигляді потоку молекул на грань кристала алмазу, поміщеного на нагрівач з танталової стрічки.
Кристали є плоскопаралельною пластиною з розміром 2,5".
2 2х1,5 мм, звернену однієї іе найбільших граней до молекулярного потоку С34
СВг4, тоді як протилежна грань знаходиться в контакті з танталовим нагрівачем. Всю систему відкачують до вакууму 3-4к10 мм рт. ст.
У таких умовах при температурі про алмазну затравку близько 800-1000 С йде розкладання СЗ, або СВт4 на елвменти, проте переважно переважно награні кристала алмазу, зверненої до . молекулярному потоку С34 та СВГ4. Продукти розкладання і молекули, що не розклалися, вимерзають на стінках реакційної судини, оскільки всі частини приладу знаходяться в посудині з рідким азотом. Швидкість надходження пар С34, або СВт; близько l г/год, тривалість досліду 3 год.
Грань алмазу, звернена до потоку
CQ4 та СВг4, що спостерігається при збільшенні під мікроскопом до 1000, виявляє кристалічну будову отриманого наросту. Величина утворених напів339134 прозорих кристаликів в окремих випадках 5-7 мкм.
Твердість визначають безпосередньо на кристалі шляхом руху на його поверхні кінця оплавленої кварцової палички, при цьому на останній утворюється матова фаска. При аналогічних пробах на гранях без наросту утворюються гладкі, а не матові фаски.
Спостерігають катодолюмінесценцію осаду, що утворюється у високому вакуумі електронами з енергією
Електрони такої енергії, що мають глибину проникнення в десяті частки мікрона, направляють під малим кутом до грані.
При цьому за допомогою мікроскопа по всій грані спостерігають однакову блакитну катодолюмінесценцію, характерну для алмазу. Графіт у подібних умовах не люмінескує.
Формула винаходу
Спосіб нарощування граней алмазу в
to умовах його нестабільного стану відрізняється тим, що, з метою здійснення процесу зростання, виробляють підігрів грані до 8001000 С та в умовах вакууму порядку
15 3-4 мм 10 мм рт. ст. до поверхні грані направляють пари легко розкладається вуглецевмісної сполуки, наприклад СВг4 або C3. .
Упорядник Н.. Семенова
Редактор Є. Месропова Техред. Чужнк Коректор. Ст, Сініцька
Замовлення 1801/50 Тираж 565 Передплатне
Ш4ІІПД Державного комітету СРСР у справах винаходів та відкриттів
113035, Москва, Ж-35, Рауська наб., д. 4/5
Філія ППП Патент, м. Ужгород, вул. Проектна, 4