Кремнієвий дифузійний транзистор
Ради Міністрів СРСР у справах иэаоретений і відкриттів (53) УДК 621.382.3 (088.8) (72) Автор винаходу
А.С. Добкін (71) Заявник (54) КРЕМНІЄВИЙ ДИФУЗІЙНИЙ ТРАНЗИСТОР
Відомі кремнієві дифузні транзистори виконані з максимальною концентрацією домішки в прилеглій до бази області емітера і відповідно максимальним значенням градієнта концентрації в області переходу емітер-база, що, однак, не забезпечує максимального значення коефіцієнта посилення струму.
Запропонований транзистор дозволяє отримувати високі значення коефіцієнта уси- iO лення по струму, обумовлені високим значенням коефіцієнта ін'єкції та кремнієвих тт-р-тт дифузійних транзисторах.
Особливість описуваного транзистора полягає в забезпеченні не максимального значення концентрації домішки 15 ня, легованого фосфором, 1, 1, 3,0
Існування оптимального розподілу домішки в прилеглій до бази області емітера, що забезпечує високе значення коефіцієнта посилення, пов'язане з существом зв'язку дифузійної довжини неосновних носіїв струму і концентрацією домішки і призводить до зменшення часу життя і коефіцієнта дифузії, що визначають значення дифузійної довжини. Якщо домішки мають градієнт концентрації вище оптимального, малі геометричні розміри активної області емітера. Якщо значення градієнта концентрації домішки нижче оптимального, мала концентрація домішки активної області емітера.
Для випадку розподілу домішки в прилеглій до бази області емітера по закоЫкх нуб " оптимальне значення градієнта концентраціївизначається за формулою
dN 3 д в і ковл, ігор 6е р а де N вЂ" концентрація домішок в базі на ов кордоні з емітером; р вЂ" ефективна дифузійна довжина в емітері, що дорівнює 0,6 мк;
Х вЂ" глибина розташування переходу е емітер-база;
Упорядник О. Федюкіна
Редактор М. Кречетова Техред О. Лугова Коректор В. Салка
Замовлення 239/2 Тираж 999
ЦНДІПД Державного комітету Ради Міністрів СРСР у справах винаходів та відкриттів
113035, Москва, Ж-35, Рауська наб., д. 4/5
Філія ППП Патент", r. Ужгород, вул. Проектна, 4
N z>- характеристична концентрація чримесі в емітерній ділянці, що дорівнює 8.1G см ";
cl вЂ" концентрація дірок.
У пропонованому приладі порівняно з раніше існуючими покращені такі характеристики: збільшено значення коефіцієнта посилення, зменшено значення ємності переходу емітер-база, збільшено значення пробивного напруги того ж переходу.
Кремнієвий дифузійний транзистор, який відрізняється тим, що, з метою підвищення коефіцієнта посилення, збільшення пробивної напруги переходу емітер-база і зменшення ємності того ж переходу, емітер транзистора виконаний з граничною концентрацією домішки в ньому
10 на відстані від переходу емітер-база, що дорівнює дифузійній довжині в емітері.