Розробка НВЧ модуля Методичні вказівки до індивідуальних завдань на конструкторський практикум

Мінімально допустимі розміри контактних майданчиків або ділянок МПЛ, призначених для приєднання плоских або круглих висновків навісних елементів, повинні бути: паяння 0,4x0,4 мм; зварювання 0,2x0,2 мм; контролю плівкових елементів 0,2 x 0,2 мм. Розміри контактного майданчика або ділянки МПЛ, призначені для приєднання паянням плоских або круглих виводів навісних елементів, повинні перевищувати розміри контактної частини виводу на 0,2 мм, як зазначено на Рис. 5.5.

Розміри контактного майданчика або ділянки МПЛ, призначеної під кріплення та приєднання дротяних висновків навісного елемента або перепишемо через отвір у платі, повинні перевищувати

діаметр отвору на 1.2 мм, як зазначено на рис. 5.6.

При виконанні єдиного контактного майданчика для приєднання висновків кількох навісних елементів, що мають електричний контакт, мінімальна відстань між виводами елементів не повинна бути меншою за 0,25 мм, як показано на рис.5.7.

Переважним є виконання єдиного контактного майданчика, що дорівнює сумі мінімально допустимих розмірів контактних майданчиків під виведення окремих навісних елементів.

Відстань між контактними майданчиками для приєднання навісних елементів та низькочастотних висновків не повинна бути меншою за 0,3 мм.

Для приєднання висновків навісних елементів, що мають загальний електричний контакт, контактні майданчики можуть бути виконані або з їх частковим поділом (рис.5.8,а) так і без нього (рис.5.8,б)

При необхідності точної фіксації розташування навісних елементів по відношенню до МПЛ та контактних майданчиків слід виконуватиконтактні ділянки ліній та майданчики відповідно до рис. 5.9.

Контактні майданчики та контактні ділянки МПЛ для приєднання навісних елементів повинні розміщуватися на мікросмужковій платі з урахуванням таких вимог: відстань між корпусом (підставою) елемента та краєм плати не повинна бути меншою за 1 мм; відстань між корпусами (підставами) сусідніх елементів не повинна бути меншою за 0.5 мм. Відстань між корпусом (підставою) елемента та краєм плати не повинна бути меншою за 0,3 мм.

Отвори та пази у мікросмужкових платах можуть бути як з металізацією, так і без неї.

Креслення кожного шару плати повинен мати реперні знаки для орієнтації малюнка схеми щодо підкладки та суміщення шарів між собою. Реперні знаки допускається розміщувати поза контуром плати і в цьому випадку в нижньому лівому куті допускається ключ.

5.4.2. Технологічні вимоги та обмеження

при виготовленні плат методом тонкоплівкової технології

При виготовленні плат шари слід наносити в наступному порядку:

- резистивний шар (резистори);

- нижні обкладки конденсаторів;

- провідниковий шар (екран, МПЛ, контактні майданчики тощо); діелектрик;

- верхні обкладки конденсаторів;

- Шар захисної ізоляції.

Допускається й інший порядок нанесення шарів, що визначений технологією виготовлення.

Розрахункові плівкові елементи розташовуються з відривом щонайменше 1,5 мм від країв підкладки.

В окремих технічно обґрунтованих випадках допускається розташування МПЛ та резисторів на відстані менше 1,5 мм від краю підкладки та з переходом через торець на екранну поверхню.

Плівкові елементи схеми, до яких пред'являються підвищені вимоги щодо розмірів та якості виконання, повинні розташовуватисяу середній зоні плати на відстані не менше ніж 2 мм від краю плат розмірами менше ніж 48x30 мм і на відстані не менше ніж 3 мм для плат розмірами понад 24x60 мм.

Входи та виходи МПЛ повинні закінчуватися на відстані не менше 0,2 мм і не більше 0,5 мм від краю плати.

Мінімально допустима ширина ліній та величина зазорів між ними залежно від варіанта технологічного процесу виготовлення плати наведено у таблиці 5.1.

Обмеження на допустиму ширину МПЛ та зазорів між ними

АлтДТУ 419
АлтДУ 113
АмПГУ 296
АГТУ 266
БІТТУ 794
БДТУ «Воєнмех» 1191
БДМУ 172
БДТУ 602
БДУ 153
БДУІР 391
БелДУТ 4908
БДЕУ 962
БНТУ 1070
БТЕУ ПК 689
БрДУ 179
ВНТУ 119
ВГУЕС 426
ВлДУ 645
ВМедА 611
ВолгДТУ 235
ВНУ ім. Даля 166
ВЗФЕД 245
ВятГСХА 101
ВятДГУ 139
ВятДУ 559
ГГДСК 171
ГомГМК 501
ДДМУ 1967
ДДТУ ім. Сухого 4467
ДМУ ім. Скорини 1590
ДМА ім. Макарова 300
ДДПУ 159
ДальГАУ 279
ДВДГУ 134
ДВДМУ 409
ДВГТУ 936
ДВГУПС 305
ДВФУ 949
ДонДТУ 497
ДІТМ МНТУ 109
ІвДМА 488
ІДХТУ 130
ІжДТУ 143
КемГППК 171
КемДУ 507
КДМТУ 269
КіровАТ 147
КДКСЕП 407
КДТА ім. Дегтярьова 174
КНАГТУ 2909
КрасГАУ 370
КрасДМУ 630
КДПУ ім. Астаф'єва 133
КДТУ (СФУ) 567
КДТЕІ (СФУ) 112
КПК №2 177
КубДТУ 139
КубДУ 107
КузДПА 182
КузДТУ 789
МДТУ ім. Носова 367
МДЕУ ім. Сахарова 232
МГЕК 249
МДПУ 165
МАІ 144
МАДІ 151
МДІУ 1179
МГОУ 121
МДСУ 330
МДУ 273
МГУКІ 101
МГУПД 225
МГУПС (МІІТ) 636
МГУТУ 122
МТУСІ 179
ХАІ 656
ТПУ 454
НДУ МЕІ 641
НМСУ «Гірський» 1701
ХПІ 1534
НТУУ «КПІ» 212
НУК ім. Макарова 542
НВ 777
НДАВТ 362
НДАУ 411
НДАСУ 817
НДМУ 665
НДПУ 214
НДТУ 4610
НГУ 1992
НГУЕУ 499
НДІ 201
ОмДТУ 301
ОмГУПС 230
СПбПК №4 115
ПГУПС 2489
ПДПУ ім. Короленка 296
ПНТУ ім. Кондратюка 119
РАНХіГС 186
РОАТ МІІТ 608
РТА 243
РДДМУ 118
РДПУ ім. Герцена 124
РДППУ 142
РДСУ 162
«МАТІ» — РДТУ 121
РГУНіГ 260
РЕУ ім. Плеханова 122
РДАТУ ім. Соловйова 219
РязГМУ 125
РДРТУ 666
СамДТУ 130
СПбДАСУ 318
Інжекон 328
СПбГІПСР 136
СПбГЛТУ ім. Кірова 227
СПбДМТУ 143
СПбГПМУ 147
СПбДПУ 1598
СПбГТІ (ТУ) 292
СПбДТУРП 235
СПбДУ 582
ГУАП 524
СПбГУНіПТ 291
СПбГУПТД 438
СПбГУСЕ 226
СПбГУТ 193
СПГУТД 151
СПбГУЕФ 145
СПбГЕТУ «ЛЕТИ» 380
ПІМаш 247
НДУ ІТМО 531
СДТУ ім. Гагаріна 114
СахДУ 278
СЗТУ 484
СибАГС 249
СибДАУ 462
СибДІУ 1655
СибДТУ 946
СГУПС1513
СібГУТІ 2083
СибУПК 377
СФУ 2423
СНАУ 567
СумДУ 768
ТРТУ 149
ТОГУ 551
ТДЕУ 325
ТДУ (Томськ) 276
ТДПУ 181
ТулДУ 553
УкрДАЖТ 234
УлДТУ 536
УІПКПРО 123
УрДПУ 195
УГТУ-УПІ 758
УГНТУ 570
УДТУ 134
ХДАЕП 138
ХДАФК 110
ХНАГГ 407
ХНУВС 512
ХНУ ім. Каразіна 305
ХНУРЕ 324
ХНЕУ 495
ЦПУ 157
ЧитДУ 220
ЮУрДУ 306

Повний список ВНЗ

Щоб надрукувати файл, скачайте його (у форматі Word).