Розробка пам’яті (об’єм пам’яті SRAM - 4 Mб, розрядність - 32 біт інформаційна організація

Сторінки роботи

sram

організація

інформаційна

розробка

розробка

зміст роботи

Міністерство Освіти та Науки України

Федеральне агентство з освіти

Державний освітній заклад

Вищої професійної освіти

Новосибірський Державний Технічний Університет

Кафедра обчислювальної техніки

Розрахунково-графічна робота

З дисципліни «Схемотехніка»

Кафедра: ВТ

Студент: Клещенєв М.І.

Викладач: Міхашов А.І.

Новосибірськ 2006 р.

Вступ………………………………………………………………… 3

Мета роботи……………………………………………………………… 4

Вибір елементної бази………………………………………………… 4

Розробка структурної схеми пам'яті………………………………… 4

Розрахунок кількості необхідних мікросхем пам'яті…………………. 5

Складання карти пам'яті……………………………………………… 5

Вибір інтерфейсних елементів………………………………………… 7

Розробка функціональної схеми пам'яті……………………………. 9

Розрахунок тимчасових параметрів…………………………………………… 11

Список використаної літератури………………………………………. 14

Додаток 1 "Технічна документація до пам'яті SRAM"

Додаток 2 "Технічна документація до Flash пам'яті"

Розробка пам'яті включає кілька етапів:

  • одержання технічного завдання;
  • вибір номіналів мікросхем пам'яті, які відповідають вимогам технічного завдання;
  • вибір номіналів мікросхем, що виконують функції інтерфейсних елементів (вони також мають відповідати вимогам технічного завдання);
  • розрахунок навантаження (струмового, ємнісного), створюваного мікросхемами пам'ятілінії функціонального призначення;
  • розрахунок часових параметрів розробленої пам'яті (час доступу, час циклу);
  • розрахунок енергоспоживання (у разі потреби, якщо воно лімітоване в технічному завданні).

Якщо розраховані параметри не задовольняють вимоги технічного завдання, або приймається рішення про вибір інших номіналів мікросхем, або дана ситуація повинна бути обумовлена ​​розробником (як може вплинути на функціонування розробки відхилення тих чи інших параметрів, і на скільки суттєво відхилення параметрів)

При розробці також необхідно враховувати особливості конкретних типів пам'яті (наприклад, для пам'яті, що перепрограмується, потрібно описати режими програмування і стирання).

Метою даної розрахунково-графічної роботи є розробка резидентної пам'яті, функціонування якої має максимально відповідати технічним завданням.

  • Об'єм пам'яті SRAM - 4 Mб, розрядність - 32 біт інформаційна організація (1Мх32) біт).
  • Об'єм пам'яті FF - 8 Mб, розрядність - 32 біт (інформаційна організація (2Мх32) біт).
  • Забезпечити час циклів читання та запису не більше 150 нс. Електронний інтерфейс ТТЛ.

Вибір елементної бази:

Вибір типу номіналів відповідних нашому технічному завданню зробимо на довідкових інтернет ресурсах провідних фірм виробників мікроелектроніки.

Для реалізації схеми виберемо як номіналу:

  1. для SRAM пам'яті мікросхему фірми Paradigm – PDM4M4120, з організацією (1Мх32)біт, живильною напругою 5±10%, електричним ТТЛ інтерфейсом і часом доступу 15 нс.;
  2. для FF пам'яті мікросхему фірми White Electronic Designs – WF2M32-0905, з організацією (2Мх32)біт, напругою живлення5±10% і часом доступу 90 нс.

Технічна документація з описом вибраних мікросхем знаходиться у додатках 1 і 2 .

Виходячи з технічного завдання, ми повинні забезпечити доступ пам'яті до трьох шинної системної магістралі.

  • звернення до пам'ятіMEM;
  • сигнал дозволу читання/записуWE#

Не виключено, що в процесі розробки пам'яті нам доведеться включити в шину керування додаткові сигнальні лінії, введення яких буде зумовлено особливостями функціональної схеми пам'яті та особливостями обраних типів номіналів. Тому розрядність шини керування ми визначимо пізніше.