Спосіб запису та стирання інформації на мембранному модуляторі світла
ДО АВТОРСЬКИМ СВІТКОМ
) 2806302/18-25 з приєднанням заявки Йо (23) Пріоритет
Опубліковано 1 0881 Бюлетень Й9 30 (з)м. к„.з
l I . ss ,, . !" . я-.: ., c
Ордена Леніна інститут кіберйауцької "- - - : . ;;.
AH CCP (72) Автор винаходу (73) Заявник (54) СПОСІБ ЗАПИСУ І СТИРУ
ІНФОРМАЦІЇ HA МЕМБРАННОМУ МОДУЛЯТОРІ
Винахід відноситься до оптики, а більш конкретно до просторових модуляторів світла, і може бути використане для управління мембранними модуляторами світла.
Іе вестен спосіб запису та стирання інформації на мембранному модуляторі світла fl) .
У цьому способі зміщення мембрани можливе лише за підтримки різниці потенціалів між мембраною і керуючими електродами. Таким чином, внутрішня пам'ять за такого способу управління відсутня.
Найбільш близьким за технічною 35 сутності і досягається результату до пропонованого є спосіб запису і стирання інформації на мембранному модуляторі світла, прн здійсненні якого на мембрану і керуючий електрод подають постійну напругу зміщення, що діє протягом всього циклу запису і зберігання інформації (2 ) .
Недоліком цього способу є неможливість запам'ятовування дворівневої інформації.
Мета винаходу вЂ" забезпечення можливості запам'ятовування дворівневої інформації. 30
Це досягається завдяки тому, що в способі еапису та стирання інформації на мембранному модуляторі світла, прн здійсненні якого на мембрану і керуючий електрод подають постійну напругу зміщення, що діє протягом всього циклу запису н зберігання інформації
I на мембрану і керуючий електрод додатково подають папря;-.ення перемикання, що перевищує критичненапруга, що переводить мембрану в положення упору в керуючий електрод, при цьому напруга зміщення менше критичної, але більшої мінімальної напруги, що утримує мембрану в положенні упору, а вибіркове стирання здійснюють подачею на мембрану і керуючий електрод напруги, рівного напруги зміщення, але протилежної полярності.
На фіг,1 показано положення малого зміщення мембрани в модулюючій клітинку на фіг.2 - положення великого зміщення мембрани; на фіг:3 крива залежності величини зміщення мембрани від керуючого напруги.
Спосіб здійснюється наступним чином.
Виявлено, що в мембранній модулюючій комірці, що складається з підкладки 1, керуючого електрода
2, розділового шару 3 і провідної мембрани 4,що складається з діелектри-. ного шару 5 і провідного шару 6 при певному напрузі між S керуючим електродом 2 і мембраною
4 відбувається спонтанне перемикання мембрани 4 в положення великого зміщення до упору в керуючий електрод (фіг. 2). електроду, врівноважуються силою 5 натягу мембрани, що повертає її у вихідне положення, і залежність величини зміщення мембрани or керуючого напруги описується ділянкою кривої Про вЂ" -а. Коли керую- 2О ще напруга стає рівним перемикаючої напруги U> за рахунок близькості керуючого електрода до мембрани сили електростатичного тяжіння починають зростати зі збільшенням зміщення мембрани швидше ніж сила натягу мембрани. В результаті цього положення мембрани при керуючій напрузі U2 є нестійким, так як незначне зміщеннямембрани до електрода викликає ЗО ет збільшення електростатичних сил, яке не може бути скомпенсовано силою натягу мембрани, і мембрана спонтанно притягується K керуючого електрода до упору в 35 нього (фіг.2). Цьому моменту перемикання мембрани відповідає ділянка кривої 0 -о (фіг.3). Такий стан мембрани в положенні великого зміщення є стійким 4() рівноважним станом, оскільки електростатичні сили тяжіння перевищують повертає силу натягу мембрани. При зменшенні керуючого напруги мембрана знаходиться в цьому положенні до тих пір, поки електростатичні сили не стануть рівними повертає силі натягу мембрани (ділянка кривойд -3 на фіг.3). 3 (фіг.3). Напруга Jq є мінімальною напругою утримання мембрани, величина якого менша від перемикаючої напруги
Таким чином, ефект, що полягає в перемиканні мембрани в положення великого зміщення і її утриманні в цьому положенні меншою напругою, ніж напруга перемикання, дозволяє здійснити запис і запам'ятовування інформації в модулюючі осередки мембранного модулятора світла, Проводиться запис і зберігання інформації в модулюючу мембранного модулятора світла з наступними 65 конструктивними параметрами: діаметр перфораційного отвору 40 мкм, товщина розділового шару 0 4 мкм, товщина полімерної мембрани 100 нм, товщина металізованого шару мембрани 20 нм. До керуючого електрода та мембрани прикладається напруга зміщення величиною 10 В. При цьому мембрана прогинається на величину 0,1 мкм. Для запису інформації напруга підвищується до величини
32 м відбувається перемикання мембрани до упору в керуючий електрод.Електрична ізоляція між мембраною і керуючим електродом при цьому положенні мембрани забезпечується тим, що мембрана, що складається з діелектричного шару 5. і провідного шару 6 (фіг. 2), стосується уп-; роляючого електрода діелектричним шаром. Після зменшення напруги до колишньої величини (10) мембрана залишається в положенні великого зміщення. Для стирання записаної інформації напруга знижується до величини 8, при цьому мембрана переключається в стан малого зміщення.
Використання пропонованого способу управління мембранним модулятороМ® світла забезпечує можливість запам'ятовування дворівневої інформації, що дозволяє реалізувати матричні мембранні модулятори світла з пам'яттю, які можуть використовуватися як світлоклапанні пристрої в системі проекції інформації на великий екран, вхідних пристроїв оптичних обчислювачів, формувачів сторінок голографічних пристроїв.
Спосіб запису та стирання інформації на мембранному модуляторі світла, при здійсненні якого на мембрану і керуючий електрод подають постійну напругу зміщення, що діє протягом всього циклу запису і зберігання інформації, що поєднує з ятем, що, з метою запам'ятовування дворівневої інформації, на мембрану і керуючий електрод додатково подають напругу перемикання, що перевищує критичну напругу, що переводить мембрану в положення упору в керуючий електрод, при цьому напруга зміщення менше критичної, але більше мінімальної напруги, що утримує мембрану в положенні упору, а вибіркове стирання здійснюють подачею на мембрану та керуючий електрод напруги , рівного напрузі зміщення, але протилежної полярності.
Джерела інформації, прийняті до уваги під час експертизи
1. Патент CltlA 93479109, кл. 350 "161, 1969.
2. Престон Н. Когерентні оптичні обчислювальні машини. М., Світ, 1974, с.193.
Техред А. Бабинець Коректор Є. Рошко
Філія ППП Патент, м.ужгород, вул.Проектна,4
Замовлення 6902/66 Тираж 539
ВНДІПД Державного комітету СРСР у справах винаходів та відкриттів