Унікальна розробка українських вчених
Фахівці НДІ напівпровідникових приладів м. Томськ розробили твердотільний підсилювач потужності 8-мм діапазону довжин хвиль на основі GaN (нітрид галію) інтегральних схем з вихідною потужністю понад 800 Вт.
У порівнянні з традиційними рішеннями, підсилювачі на основі GaN можуть забезпечити в 3 рази більше вихідної потужності за однакових фізичних розмірів. Поряд із більш високою щільністю потужності напівпровідники GaN мають більш високу стійкість та надійність. Розробка, здійснена томським АТ «НДІ напівпровідникових приладів», унікальна для українського ринку і відноситься до найпередовіших науково-технічних рішень не лише в країні, а й у світі.
GaNтехнології дозволяють суттєво зменшити габарити та вагу твердотільного підсилювача радара, що дуже важливо для авіаційних та космічних застосувань, де необхідна мінімізація ваги та габаритів радарів, у т. ч. і радарів з АФАР.
В даний час дослідні зразки підсилювачів, які застосовуються в обладнанні радіолокації, відвантажені споживачам для проведення випробувань у складі апаратури. На початку наступного року підприємство планує розпочати серійне виробництво. Підтверджена сьогодні потреба у цих виробах із боку потенційних замовників перевищує 1 млрд. крб. на рік. З метою забезпечення випуску твердотільних підсилювачів, НВЧ-модулів та приймально-передаючих модулів активних фазованих антенних решіток НДІ напівпровідникових приладів проводить модернізацію виробництва.
Твердотельний підсилювач дуже перспективний продукт, враховуючи його переваги в порівнянні з традиційними для частотного діапазону і рівня потужності вакуумними підсилювачами.Довгий час вважалося, що потужні вакуумні лампи в міліметровому діапазоні не можна замінити, але томські інженери довели, що це не так.
Розробка здійснювалась упродовж п'яти років. У світі лише кілька компаній, здатних виробляти таку техніку. Актуальним є вирішення задачі виробництва систем зв'язку та радарів на базі нових продуктів GaN для частотних діапазонів C, X, Ku.
Твердотільні підсилювачі та інші вироби на базі GaNтехнології відкривають широкі перспективи для розробки новітніх пристроїв та модернізації виробів, що вже працюють, у важливих частотних діапазонах 1–4 ГГц, 2–6 ГГц, 4–12 ГГц, 6–18 ГГц, 2–20 ГГц, які можуть стати конкурентними ламповими приладами НВЧ (тріоди, тератрони, магнетрони, клістрони тощо) за вихідною потужністю, ККД, габаритними розмірами, надійністю та ціною.
Статті на цю тему:
Панцир-С Випробування в морі ЗРК Тор ППО Кремля Пуски крилатих ракет