Наришкін А
Москва Видавництва «Зв'язок» 1974
Викладаються методи інженерного розрахунку протишумових корекцій в підсилювачах на біполярних та сольових транзисторах. Дається короткий опис підсилювальних та шумових властивостей транзисторів.
Книга призначена для наукових співробітників та інженерів, які займаються розробкою малошумливих аперіодичних та резонансних підсилювачів на транзисторах, і може бути корисною студентам старших курсів радіотехнічних факультетів.
Наришкін А. К.Протишумові корекції в транзисторних підсилювачах. Москва, "Зв'язок", 1974.
Зміст книги Протишумові корекції в транзисторних підсилювачах
Глава перша. Підсилювальні та шумові властивості планарних біполярних транзисторів1.1. Конструктивні та технологічні особливості 1.2. Вольт амперні характеристики р-n переходів, одержаних за допомогою шланарної технології 1.3. Коефіцієнт передачі транзистора постійного струму 1.4. Коефіцієнт посилення транзистора змінним струмом 1.5. Еквівалентна шумова схема
Глава друга. Підсилювальні та шумові властивості польових транзисторів з площинним затвором2.1. Принципові відмінності польових транзисторів від біполярних 1.2.2. Параметри та характеристики «польових транзисторів із площинним затвором 2.3. Струм затвора польових транзисторів з р-n переходом 2.4. Еквівалентна схема 2.5. Шуми транзисторів площинним затвором
Глава третя. Підсилювальні та шумові властивості польових транзисторів із ізольованим затвором3.1. Особливості тюлевих транзисторів із ізольованим затвором 3.2. Статичні характеристики та підсилювальні параметри МДП-транзисторів 3.3. Еквівалентна схемаМДП-транзисторів 3.4. Джерела шуму у МДП-транзисторах
Глава четверта. Узагальнена теорія протишумових корекцій із використанням на вході послідовно включеної індуктивності4.1. Еквівалентний шум вхідного каскаду 4.2. Вплив різних факторів на еквівалентний шум вхідного каскаду 1.4.3. Корекція спотворень, викликаних .вхідним ланцюгом підсилювача
Глава п'ята. Потенційні шумові характеристики транзисторних каскадів5.1. Мінімізація шумів підсилювального каскаду з допомогою паралельного включення кількох біполярних транзисторів 5.2. Оптимальний опір джерела сигналу каскадів на біполярних транзисторах 5.3. Оптимальний опір джерела сигналу каскадів на польових транзисторах 5.4. Порівняльна оцінка шумових параметрів різних підсилювальних приладів за умови погодження 5.5. Порівняльна оцінка шумових параметрів різних підсилювальних приладів за відсутності погодження 5.6. Оптимізація підсилювальних каскадів за рахунок паралельного включення кількох польових транзисторів
Глава сьома. Протишумові корекції в підсилювачах постійного струму7.1. Про методику розрахунку підсилювачів постійного струму мінімум дрейфу нульового рівня 7.2. Питання проектування УПТ із малим дрейфом нульового рівня
Голова восьма. Протишумові корекції у попередніх підсилювачах відтворення магнітофонного запису8.1. Наведене відношення шум/сигнал на вході підсилювача 8.2. Оптимальні параметри головки, що відтворює, і вхідного каскаду 8.3. Розрахунок вхідного ланцюга уоілителя на мінімум частотних спотворень
При підготовці цієї книги до видання матеріал роботи [7] був підданий суттєвій переробці та доповнений новими відомостями, розглянутоновий, досить перспективний клас підсилювальних приладів — польових транзисторів, серійний випуск яких порівняно недавно був налагоджений у нашій країні, проте вони вже мають високі підсилювальні та шумові якості; введено матеріал, присвячений дослідженню низькочастотних шумів біполярних і польових транзисторів (див. [8]), що дозволило, у свою чергу, узагальнити теорію протишумових корекцій для підсилювачів звукових частот і підсилювачів постійного струму. Розробка методики розрахунку мало-шумливих підсилювачів звукових частот зажадала залучення відомостей про фізіологічні особливості слухового сприйняття шумів.
У першому розділі розглядаються підсилювальні та шумові властивості планарних біполярних транзисторів. Коротко розглянуто конструктивні та технологічні особливості та фізика роботи планарних біполярних транзисторів. Показано їх переваги перед іншими видами біполярних транзисторів. Встановлено зв'язок між конструктивними, вольтамперними, підсилювальними і шумовими характеристиками транзисторів, що дозволяє заповнити відомості, що відсутні в довідниках по транзисторах, необхідні для розрахунку шумів і протишумових корекцій. Наведено повну шумову еквівалентну схему біполярних транзисторів.
Другий і третій розділ присвячені підсилювальним і шумовим властивостям польових транзисторів з неізольованими та ізольованими затворами. Наведено конструктивні та технологічні особливості польових (з площинним затвором – ПТПЗ – та МДП) транзисторів. Показано, що струм затвора ПТПЗ визначається двома основними компонентами: струмом ударної іонізації та струмом генерації носіїв, а МДП-транзисторах-поверхневим витоком. Проаналізовано основні джерела шуму. Наведено повну еквівалентну шумову схему польового транзистора.
У четвертійрозділ наведено узагальнену теорію протишумових корекцій, справедливу як для лампових, так і для транзисторних аперіодичних і резонансних підсилювачів. Розглянуто узагальнену еквівалентну схему вхідного каскаду, що дозволяє розраховувати еквівалентні шумові характеристики досить широкого класу підсилювальних каскадів.
У п'ятому розділі розглядаються різні способи зменшення коефіцієнта шуму підсилювальних каскадів. Для діапазону середніх частот, коли можна знехтувати надмірними низькочастотними шумами і реактивними складовими провідностей, отримані співвідношення, що оптимізують шумові властивості підсилювальних каскадів по режиму, паралельно включених транзисторів і опору джерела сигналу. Показано, що паралельне включення кількох транзисторів дозволяє отримати таке значення мінімального коефіцієнта шуму, як і за погодженні з джерелом сигналу з допомогою ідеального трансформатора. Дана порівняльна оцінка шумових параметрів різних підсилювальних приладів за погодженням і за його відсутності.
Отримано співвідношення, що встановлює зв'язок між низькочастотною еквівалентною шумовою межею смуги пропускання УПТ і часом спостереження дрейфу нульового рівня, що дозволяє легко розраховувати і мінімізувати дрейф УПТ, який визначається власними шумами вхідного каскаду. Наведено спосіб знаходження оптимальних режимів емітерного струму біполярного і струму стоку польового транзисторів вхідного каскаду УПТ. Наведено рекомендації щодо зменшення дрейфу нуля під час роботи УПТ у широкому діапазоні температур.
Завдання мінімізації шуму в попередніх підсилювачах магнітофонного запису зведено до вирішеної задачі оптимізації підсилювача зі складною протишумової корекцією. У розрахунках враховується псофометрична функція.Знайдено оптимальні значення індуктивності відтворювальної головки та оптимальний емітерний струм транзистора у вхідному каскаді. Запропоновано методику розрахунку вхідного ланцюга підсилювача на мінімум частотних спотворень.
Автор висловлює сердечну вдячність професору М. І. Чистякову за суттєві зауваження, які сприяли покращенню якості рукопису цієї книги.