Паралельне з’єднання силових напівпровідникових приладів - Студопедія

Паралельне та послідовне з'єднання силових напівпровідникових приладів

У потужних перетворювальних установках струми навантаження перевищують граничний струм одного напівпровідникового приладу. Тому для пропуску таких струмів силові діоди та тиристори доводиться з'єднувати паралельно. Через розбіжності вольтамперних характеристик розподіл струму між паралельно включеними приладами відбувається нерівномірно. Розглянемо схему паралельного з'єднання двох силових діодів та їх вольтамперні характеристики (рис. 2.1).

Мал. 2.1. Розподіл струму між паралельно з'єднаними діодами:

а- схема,б- вольтамперні характеристики

Як видно із рис. 2.1, при паралельному з'єднанні двох діодів з різними вольтамперними характеристиками струм між діодами розділиться нерівномірно. Якщо VD1 на граничному струмі ІП пряма напруга буде UVD1, то у VD2 на такому ж граничному струмі IП пряма напруга буде UVD2 UVD1. При паралельному з'єднанні та пропуску через діоди струму 2IП на діодах встановиться пряма напруга. При такій напрузі U0 струм першого діода буде IVD1, а струм другого діода - IVD2

Замкнену кільцеву схему включення ІДТ застосовують, коли потрібно включити від трьох до п'яти діодів паралельно. Якщо необхідно включити паралельно більше п'яти діодів, застосовують схему із вентилем, що задає. Схеми включення ІДТ великого числа паралельно включених діодів представлені на рис. 2.3.

Мал. 2.3. Схеми включення ІДТ:а– замкнута кільцева,б– із задаючим вентилем

Замкнена кільцевасхема дозволяє одному діоду вирівнювати струм, що проходить через нього, порівнюючи його з двома сусідніми. У схемі з задаючим вентилем всі діоди вирівнюють струми, що протікають по них, зі струмом одного діода (що задає вентиля), послідовно з яким включені перші обмотки всіх ІДТ. При цьому кількість ІДТ у схемі на 1 шт. менше, ніж кількість діодів.

Чи не знайшли те, що шукали? Скористайтеся пошуком:

Вимкніть adBlock! і оновіть сторінку (F5)дуже потрібно

---