Рідкофазне вирощування епітаксійних шарів – C30B 19
Винахід відноситься до галузі магнітної мікроелектроніки, зокрема до прикладної магнітооптики, і може бути використане для запису інформації як у цифровому, так і аналоговому режимах. Магнітооптичний матеріал є епітаксійною монокристалічною плівкою фериту-граната складу (YBi) 3 (FeGa) 5 O 12 , нарощену на підкладці немагнітного граната з високим значенням параметра решітки , при цьому епітаксійна плівка містить 0,1-0,4 формульних одиниць +. Підкладка немагнітного граната може бути виконана з (GdCa) 3 (GaMgZr) 5 O 12 або Ca 3 (NbLi) 2 Ga 3 O 12 або Ca 3 (NbMg) 2 Ga 3 O 12 або Ca 3 (NbZr) 2 Ga 3 O 12 . Запропонований матеріал має магнітооптичну добротність 56-60 град/дБ при =0,8 мкм, 350-380 град/дБ при =1,3 мкм, коерцитивну силу порядку 2,5-15,3 Е та дозволяє отримувати методом термомагнітного запису висококонтрастні зображення . 1 з.п. ф-ли, 2 табл., 3 іл., 4 ін.
Винахід відноситься до електронної техніки, зокрема пристроїв для отримання багатошарових напівпровідникових гетероструктур. Пристрій містить корпус 1 з кришкою 2, контейнер 3 з ємностями для вихідних розплавів, з поршнями 4, багатосекційний тримач 14 підкладок, камеру росту 5 і канали для подачі та виведення розплавів. Контейнер 3 із ємностями розташований під багатосекційним тримачем 14 підкладок. Кришка 2 забезпечена виступами для видалення надлишків розплаву. Пристрій містить додаткові ємності 7 для частини використовуваних розплавів, встановлені над контейнером 3, кожна з яких забезпечена кришкою 8 з вантажем і отвором з можливістю зливу розплаву в розташований нижче основний контейнер 3. Технічний результат винаходу полягає в забезпеченніпридушення небажаної взаємодії домішок у різних ростових розплавах між собою через газову фазу, що призводить до підвищення технічних або електрофізичних характеристик одержуваних структур. 1 з.п. ф-ли, 2 іл., 2 ін.
Винахід відноситься до електронної техніки, а саме - матеріалів для виготовлення напівпровідникових приладів з використанням епітаксійних шарів арсеніду галію. Сутність винаходу полягає у використанні для вирощування епітаксійних шарів GaAs підкладок з інтерметалічних сполук, що мають строго стехіометричний склад, а саме з лантанідів галію GaLa 3 і Ga 3 La 5 , цирконідів галію Ga 3 Zr і Ga 3 Zr 5 , ци цериду алюмінію CeAl 2 , бериліду паладію BePd, лантаніду магнію MgLa, лантаніду алюмінію Al 2 La, станніду платини Pt 3 Sn, лантаніду індія InLa, цирконіду олова SnZr 4 , плюмбіду платини Pt. Пропонований винахід дозволяє суттєво покращити електрофізичні параметри арсеніду галію за рахунок виключення дифузії компонентів підкладки епітаксиальний шар. 1 табл.
Винахід відноситься до технології вирощування напівпровідникових матеріалів та може бути використане для отримання монокристалів нітриду галію, а також твердих розчинів на його основі. Спосіб включає нагрівання і витримку при заданій температурі або нагрівання та повільне охолодження від заданої температури в контейнері при підтримці градієнта температури між верхньою і нижньою частинами контейнера під тиском азотовмісного газу шихти, що містить джерело галію і компоненти флюсу. Флюс як основні компоненти містить ціаніди, або ціанаміди, або диціанаміди лужних та/або лужноземельних металів та модифікуючі добавки, що підвищують розчинність нітриду галію та/або збільшують швидкістьросту та/або дозволяють управляти фізичними властивостями одержуваних кристалів. За рахунок складу флюсу, хімічного інертного по відношенню до матеріалу контейнера, знижується швидкість корозії останнього, при цьому також підвищується якість одержуваних монокристалів. 15 з.п. ф-ли, 2 табл.
Винахід відноситься до електронної техніки, а саме до технології матеріалів для створення пристроїв відображення та обробки інформації. Як матеріал підкладок для вирощування епітаксійних шарів нітриду галію запропоновано ряд сполук - монокристали інтерметалідів, вибрані з групи, що включає силіцид марганцю (MnSi), силіцид паладію (Pd 2 Si), станнат марганцю (Mn 3 Sn), станнат заліза (Fe 3 ), фосфід ванадію (VP), цирконід алюмінію (Zr 3 Al) з помірними температурами плавлення. Переваги цього класу сполук у порівнянні з відомими полягають у підвищенні якості вирощуваних на підкладках із зазначених сполук плівок нітриду галію.
Винахід відноситься до об'ємного монокристалу нітриду, зокрема призначеного для використання як підкладки для епітаксії, придатної для використання в оптоелектроніці для виробництва напівпровідникових оптоелектронних пристроїв на основі нітридів, зокрема для виготовлення напівпровідникових лазерних діодів і лазерних пристроїв. У винаході розкритий об'ємний монокристал нітриду, який являє собою монокристал нітриду галію, і його поперечний переріз у площині, перпендикулярній с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду галію, має площу поверхні більше 100 мм 2 , його товщина більше 1,0 мкм і його щільність поверхневих дислокацій у площині менше 10 6 /см 2 , в той час як його обсяг достатній для отримання, щонайменше, однієї, придатної для подальшоїобробки пластини з площиною А або площиною М, що має площу поверхні щонайменше 100 мм 2 . У більш загальному випадку винахід розкриває об'ємний монокристал нітриду, який являє собою монокристал нітриду, що містить галій, і його поперечний переріз у площині, перпендикулярної с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду, що містить галій, має площу поверхні більше 100 мм 2 його товщина більше 1 ,0 мкм та його щільність поверхневих дислокацій менше 10 6 /см 2 . Вищевказані об'ємні монокристали нітриду, що містить галій, кристалізуються з використанням способу, що включає розчинення вихідного матеріалу, що містить галій, в надкритичному розчиннику і кристалізацію нітриду галію на поверхні затравочного кристала, при температурі вище та/або тиску нижче, ніж використовують у процесі розчинення. Отримані об'ємні монокристали мають щільність дислокації менше 10 6 /см 2 що говорить про їх високу якість. 5 н. та 43 з.п. ф-ли, 20 іл.
, V.222, Issue 3, January 2001, p.431-434.
Винахід відноситься до галузі вирощування епітаксійних монокристалічних плівок для вимірювання рентгенівського випромінювання, гамма-випромінювання, корпускулярного і космічного випромінювань і промислово застосовно при виготовленні детекторів ядерних частинок, нейтронів, - та -часток, -квантів, сцинтиляційних і рентгенів. Технічний результат винаходу: підвищення ефективності перетворення високоенергетичних частинок у випромінювання люмінесценції видимого діапазону. Сутність: перетворювач високоенергетичних частинок містить монокристалічну підкладку 1, епітаксійну плівку 2, а також додаткові плівки 3, 4 і 5. Епітаксіальна плівка містить іони свинцю та/або вісмуту, причому епітаксійна плівкамістить, щонайменше, і один хімічний елемент групи Се, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, V, Cr, Mo, W, Mn, Fe , Co, Ni, Cu, Zn, Cd, Sn та Sb. Спосіб отримання плівки передбачає розміщення ізоморфної монокристалічної підкладки переохолоджений розчин-розплав, щонайменше, два рази на час від 0,1 до 100 хв. Шихта для приготування розчину-розплаву містить PbO та/або Bi 2 O 3 , В 2 Про 3 і щонайменше один кристалоутворюючий оксид. 2 зв. та 17 з.п. ф-ли, 1 іл.
Винахід відноситься до отримання монокристалічних матеріалів та плівок і може використовуватися в технології напівпровідникових матеріалів для виготовлення сонячних елементів, інтегральних схем, твердотільних НВЧ-приладів. Як матеріали підкладок для вирощування плівок GaAs орієнтації (100) використовуються монокристали інтерметалічних сполук, виконані з одного з бінарних сплавів: NiAl, CoAl, AlTi, NiGa. Винахід дозволяє вирощувати дзеркальні епітаксійні плівки арсеніду галію в ширшому діапазоні температур осадження та пересичення, забезпечує спрощення технології виготовлення приладів та знижує їхню вартість. 2 з.п. ф-ли.