ТЕЦ Лекція 13 гот
13.1. Паралельний коливальний контур
1. Ланцюг, що складається з паралельного з'єднання двох ділянок, одна з яких має індуктивний (містить індуктивність), а інший ємнісний (містить ємність) характер, називається паралельним коливальним контуром.
2. Поблизу резонансу будь-який паралельний контур високої добротності (з малими втратами) еквівалентний ідеальному паралельному контуру
3. Вторинні параметри паралельного контуру:
а.) Резонансна частота:
б.) Резонансний опір:
в.) Хвильовий опір:
г.) Добротність:
Паралельний коливальний контур має ті ж вторинні параметри, що й послідовний з одним винятком - резонансний опір зростає (в
4. Співвідношення між струмами при резонансі
При резонансі струм у реактивних елементах (L і С) у Q разів більший за підведений струм. Контур з високою добротністю (Q
13.2. Частотні характеристики паралельного коливального контуру
1. Частотна залежність опору:
де
2. Нормуванням називають розподіл аналізованої величини на еталонне значення. Z/Z0 - нормований опір контуру.
3.Частотні характеристики контуру:
Залежність модуля нормованого опору від частоти (як раніше) називають АЧХ контуру. Залежність аргументу опору частоти називають ФЧХ контуру.
4. Смугою пропускання паралельного контуру називають діапазон частот, у межах якого напруга на контурі знижується не більшеніж у
5. Визначення смуги пропускання
а
13.3. Вплив на паралельний контур опорів джерела та навантаження
1. Вибірковість контуру визначається його добротністю. Теоретично контур із нескінченно великою добротністю обирає (пропускає) коливання лише однієї частоти ω0.
2
За сталості параметрів індуктивності та ємності (RС=const) добротність пропорційна величині резонансного опору.
3. Схема підключення провідностей джерела та навантаження.
4. Для отримання високої вибірковості паралельний коливальний контур слід підключити до джерела та навантаження з малими провідностями [(GH+GГ)‹G0], тобто вони повинні бути меншими від резонансної провідності контуру.
Контрольні питання та завдання з лекції: