Lek2013-lek6

Опис на VHDL засувки

Port (D, clk: in STD_LOGIC;

Q: out STD_LOGIC;

nQ: out STD_LOGIC);

architecture Beh of RS is

--if clk' event and clk='1' then

Упаковка мікросхем пам'яті.

Один обсяг пам'яті може бути реалізований за різної конфігурації. Наприклад:

Щоб скоротити кількість висновків пам'ять представляють над вигляді вектора, а вигляді матриці.

дані

Загалом матриця може бути непрямокутною.

ОЗУ побудована на тригерах називається статичною.

Гідність – висока швидкодія.

Недолік – висока вартість.

Динамічне ОЗУ – використовує конденсатор та транзистор. Для зберігання логічної одиниці конденсатор заряджається. Однак за рахунок струмів витоку потрібна схема постійної регенерації заряду конденсатора.

lek2013-lek6

Якщо одного біта в статичної ОЗУ потрібно 6 транзисторів, то динамічної 1.

Гідність – великий обсяг за невисокої вартості, менше споживання енергії.

Недолік - необхідність циклу регенерації стану (бо конденсатор розряджається) і як наслідок більш менша швидкодія.

Загальна класифікація мікросхем пам'яті:

Недолік

SDRAM – містить у одній мікросхемі як DRAM і SRAM.

При цьому частина даних із DRAM копіюється в швидку SRAM.

DDR SDRAM – зчитування як по фронту, що наростає, так і по спадаючому фронту

DDRII SDRAM – синхросигнал вдвічі швидше ніж робота шини даних яка вдвічі ширша за DDRI.

Перевага в порівнянні з DDR – більша швидкість передачі, але вища латентність.

DIMM, SIMM – назви конструктивного оформлення модулів пам'яті (висновки з обох сторін або з одного).

ROM (Read Only Memory) -не можнапрати, проводитися на заводі із заданим фотошаблоном.

Достоїнстово – низька ціна при масовому виробництві

PROM (Programmable ROM) – дані записуються користувачем один раз шляхом пропалювання перемичок

Недолік – не можна прати.

EPROM (Eraseble PROM) – стирається, якщо потримати 15 хв під ультрафіолетом. (На корпусі мікросхеми кварцове вікно)

Недолік – складно прати

EEPROM (Electronically EPROM) – електрично стирається. До цього відносять Flash.

Для постійного зберігання одного біта інформації використовується польовий транзистор з додатковим так званим затвором, що плаває. Наявність або відсутність заряду на затворі плаває кодує 1 біт інформації.

SDRAM

Нестача (порівняно з ОЗП) – дуже повільна.

Ієрархія пам'яті Обчислювальної Системи (ВС)

У типовій обчислювальній системі можна виділити кілька шарів пам'яті:

Регістри- розташовуються всередині мікросхеми процесора (мікроконтролера). Доступ до регістрів виконується найшвидше.

Кеш-пам'ять- У сучасних CPU розташовується в мікросхемі процесора. Копіює сторінки даних із ОЗП прискорюючи доступ. Об'єм приблизно 1 Мегабіт.

Основна пам'ять (ОЗП)– Зберігає програми та дані після завантаження комп'ютера.

Зовнішня пам'ять– зберігає програми та дані при відключенні живлення.

При завантаженні дані копіюються у такому порядку

Зовнішня пам'ять -> ОЗУ

SDRAM

Швидкість доступу зменшується.

Вартість одиниці обсягу пам'яті зменшується.