Кремнієвий фотодіод - Велика Енциклопедія Нафти та Газа
Кремнієвий фотодіод
Кремнієві фотодіоди є хорошими фотоприймачами, проте для отримання вихідних сигналів необхідної амплітуди необхідно доповнювати фотодіод підсилювачем. Підвищувати коефіцієнт посилення шляхом використання зовнішніх по відношенню до корпусу оптрона елементів неефективно, оскільки збільшуються габарити системи. [1]
Кремнієві фотодіоди та фототранзистори мають максимум чутливості при довжині хвилі близько 09 мкм і межу чутливості при 11 мкм. [3]
Кремнієві фотодіоди не цілком придатні для більш довгохвильового діапазону 1300 нм та 1550 нм. Фотодіод pin – типу на основі InGaAs має досить широку область високої чутливості. Цей матеріал не утворює яскраво виражений пік на кривій чутливості, як кремній. У діапазоні від 900 до 1650 нм його чутливість не опускається нижче за 0.5 А/Вт, що дозволяє використовувати його як для довжини хвилі 1300 нм, так і для 1550 нм. На рис. 9.4 представлені типові криві чутливості для різних фотодіодів. [4]
Кремнієві фотодіоди можуть працювати при зміні температури навколишнього середовища в межах від - 60 до 80 С. Кремнієві фотогенератори застосовуються, зокрема, для перетворення сонячної енергії на електричну. [6]
Кремнієві фотодіоди мають малий темновий струм (при температурі 100 С темновий струм не перевищує 3 мка), проте чутливість їх у 5 - 10 разів менша в порівнянні з германієвими фотодіодами. [8]
Кремнієві фотодіоди можуть добре працювати без термостатування у великому діапазоні зміни навколишньої температури. [9]
Кремнієві фотодіоди є хорошими фотоприймачами, проте для отримання вихідних сигналів необхідної амплітуди необхідно доповнювати фотодіод.підсилювачем. Підвищувати коефіцієнт посилення шляхом використання зовнішніх по відношенню до корпусу оптопари елементів неефективно, оскільки збільшуються габарити схеми. [10]
Зазвичай кремнієві фотодіоди застосовують у комбінації із фільтрами. [11]
Поверхнево-бар'єрні кремнієві фотодіоди можуть працювати в діапазоні 04 - 10 мк, мають діаметр активної області 140 мк, R3KB 600 ом, М 1 і відносно прості у виготовленні. [13]
У кремнієвих фотодіодів зі структурою p - i - rt - типу високий квантовий вихід у широкому діапазоні хвиль (див. рис. 7.15), а чутливість залежить від товщини (- області. У видимій та ближній інфрачервоній областях електромагнітного спектру, приблизно до Я1 мкм, високі значення параметрів у кремнієвих фотодіодів, а в області довжин хвиль 08 - 15 мкм - у германієвих з p - n - переходом і лавинних зі структурою p - i-гг-типу.
Чутливість кремнієвих фотодіодів дорівнює 3 мА/лм, германієвих – 20 мА/лм, сірчисто-срібних – 10 – 15 мА/лм. Фотодіоди мають значну інерційність через кінцевий час дифузії носіїв заряду до p - n - переходу і проходження їх через область об'ємного заряду в p - n - переході. З іншого боку, на інерційність впливає також час зарядки ємності p - n - переходу. Частотні характеристики фотодіодів залежать від матеріалів, з яких вони виконані, а також від товщини та площі p – n – переходу. [15]