Метод - зонна перекристалізація - Велика Енциклопедія Нафти та Газа
Метод - зонна перекристалізація
Метод зонної перекристалізації, який одержав широке технічне застосування завдяки своїй ефективності, для низки реакційно здатних речовин зустрів серйозні перешкоди, пов'язані з труднощами вибору матеріалу контейнера. Матеріал контейнера насамперед не повинен забруднювати розплав. Забруднення розплаву може статися за рахунок речовин, що знаходяться на поверхні контейнера, за рахунок газів у порожнинах при його пористості, за рахунок домішок, розчинених у матеріалі, з якого виготовлений контейнер, і, нарешті, за рахунок речовини контейнера. Зазвичай як матеріал контейнера використовується скло, плавлений кварц, графіт і тугоплавкі оксиди алюмінію або магнію. [1]
Методом зонної перекристалізації із розчину-розплаву в зоні, збагаченій телуром, отримані кристали CdTe. Вивчено досконалість структури одержаних кристалів, їх фізико-хімічні, електричні властивості. [2]
Можливості легування методом зонної перекристалізації з градієнтом температури використовуються для отримання р - переходів і складніших електронно-діркових структур. Методом зонної перекристалізації з градієнтом температури утворюються гетеропереходи. Про застосування зонної перекристалізації з градієнтом температури у фізико-хімічному аналізі сказано в гол. [3]
Для ефективного очищення методом зонної перекристалізації необхідно інтенсивне перемішування матеріалу в рідкій зоні. Як мовилося раніше, при індукційному методі нагрівання відбувається перемішування рідини у зоні вихровими потоками. Перемішування рідини в зоні може бути досягнуто також іншими способами. Наприклад, так зване магнітне перемішування здійснюється за рахунок сил взаємодії струму змагнітне поле. Даний метод застосовується лише до матеріалів з досить гарною електропровідністю. Сутність його полягає у наступному. Перпендикулярно йому одному кінці розплавленої зони створюється магнітне полі Я. На рідина діятиме сила, пропорційна і перпендикулярна їм. [4]
Як зазначалося, очищення методом зонної перекристалізації заснована на тому, що домішки неоднаково розчинні у твердій та рідкій фазах основного матеріалу. [6]
Цей метод поділу, як і метод зонної перекристалізації, є багатоступінчастим, але здійснюється у вигляді протиточного процесу в апараті колонного типу - кристалізаційної колони. У літзратурі описано ряд конструкцій кристалізаційних колон. [8]
У міру подальшого розвитку теорії та практики методів неконсервативної багатопрохідної зонної перекристалізації, безперечно, виявляться нові перспективи їх використання як у технологічних процесах, так і для фізико-хімічних досліджень. [10]
Основними методами отримання монокристалів напівпровідників є: вирощування із розплаву, метод зонної перекристалізації та вирощування із газоподібної фази. У ряді випадків застосовують метод вирощування із розчину та інші методи. [12]
При отриманні зразків дво- та багатокомпонентних систем однорідного складу використовують два методи багатопрохідної зонної перекристалізації: 1) зонне вирівнювання концентрацій компонентів у кільцеподібних зразках і 2) зонне вирівнювання концентрацій при русі розплавлених зон у зустрічних напрямках. [14]
Метод протиточної кристалізації як метод поділу сумішей був запропонований майже одночасно [149, 150] з методом зонної перекристалізації, проте для глибокого очищення речовин він став використовуватися порівняно недавно.Це насамперед технічними труднощами у виготовленні та експлуатації досить ефективних розділових апаратів - кристалізаційних колон, у яких здійснюється протитік кристалів та його розплаву. З цієї ж причини дотепер рідко використовується для цілей глибокого очищення безперервна зонна перекристалізація. [15]